Laboratorio de Microscopia Electrónica de Barrido

El laboratorio cuenta con infraestructura de primer nivel para el estudio de morfología-topografía (imágenes) y análisis químico elemental por Microscopía Electrónica de Barrido (SEM) y Espectroscopia de Energía Dispersiva (EDS) de materiales: minerales, metalúrgicos, cerámicos, polímeros, electrónicos, alimentos, entre otros.
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Contacto Responsables:
M.C. Nayely Pineda
M.C. Alejandro Arizpe

Vinculación Tecnológica:
M en C Marisol Nevarez
Tel: +52 (81) 1156 0815
servicios.mty@cimav.edu.mx


Capacidades

  • Análisis morfológico superficial mediante imagen de electrones secundarios (SE).
  • Análisis de composición y topografía mediante imagen de electrones retrodispersados (BSE).
  • Análisis morfológico bajo modo de transmisión (STEM) como estudio exploratorio y previo al análisis por Microscopía Electrónica de Transmisión.
  • Microanálisis químico elemental por EDS: área, puntual, mapeo de Rayos-X, Line Scan o perfil de concentración, con un límite de detección de 1% en peso.
  • Medición de tamaño de partícula.
  • Medición de espesores de recubrimientos (en sección transversal).
  • Estudio y análisis de fractura (fractografía) en materiales.
  • Identificación y composición química elemental de defectos, manchas, incrustaciones, contaminantes y en materiales sólidos.
  • Comparación morfológica-composición química de materias primas, productos finales, membranas (filtros de agua o aire), etc

Infraestructura

Microscopio Electrónico de Barrido de Emisión de Campo Modelo Nova NanoSEM 200 Marca FEI.

  • Sistema de Microanálisis por Energía Dispersiva de Rayos X (EDS)
  • Modos de trabajo: Alto vacío para muestras conductoras, Bajo vacío para muestras semiconductoras y no conductoras.
  • Resolución de 1nm a 30kV, alto vacío.
  • Voltaje Acelerador: 200 V a 30 kV.
  • Detectores de Electrones Secundarios, Retrodispersados y STEM (modo de transmisión).
  • Microscopio Electrónico de Barrido Marca JEOL 6010 Plus

    • Resolución: hasta 4.0nm (a 20kV)
    • Resolución en Modo Bajo Vacio: hasta 5.0 nm
    • Magnificación desde: 8X a 300,000X
    • Voltajes de Aceleración: 500V a 20kV
    • Modo de Imagen de Electrones secundarios y retrodispersados
    • Detector de EDS (Espectroscopia de Energía dispersiva de Rayo X)
    • Análisis a piezas de tamaños hasta 150 mm de diámetro.