Laboratorio de Microscopía Electrónica de Barrido

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El laboratorio cuenta con infraestructura de primer nivel para el estudio de morfología-topografía (imágenes) y análisis químico elemental por microscopía electrónica de barrido (SEM) y espectroscopia de energía dispersiva (EDS) de materiales: minerales, metalúrgicos, cerámicos, polímeros, electrónicos, de los alimentos, entre otros.
Contacto Responsables:
M. C. Nayely Pineda

Vinculación Tecnológica::
M.C. Jesus Alejandro Arizpe Zapata
Tel. +52 (81) 1156 0815
servicios.mty@cimav.edu.mx
Oferta de servicios
  • Análisis morfológico superficial mediante imagen de electrones secundarios (SE).
  • Análisis de composición y topografía mediante imagen de electrones retrodispersados (BSE).
  • Análisis morfológico bajo modo de transmisión (STEM) como estudio exploratorio y previo al análisis por microscopía electrónica de transmisión.
  • Microanálisis químico elemental por EDS: área, puntual, mapeo de Rayos-X, Line Scan o perfil de concentración, con un límite de detección de 1% en peso.
  • Medición de tamaño de partícula.
  • Medición de espesores de recubrimientos (en sección transversal).
  • Estudio y análisis de fractura (fractografía) en materiales.
  • Identificación y composición química elemental de defectos, manchas, incrustaciones, contaminantes y en materiales sólidos.
  • Comparación morfológica-composición química de materias primas, productos finales, membranas (filtros de agua o aire), etc.

Infraestructura
Microscopio Electrónico de Barrido de Emisión de Campo Modelo Nova NanoSEM 200 Marca FEI
  • Sistema de microanálisis por energía dispersiva de rayos X (EDS o EDX)
  • Modos de trabajo: alto vacío para muestras conductoras, bajo vacío para muestras semiconductoras y no conductoras
  • Resolución de 1nm a 30kV, alto vacío
  • Voltaje acelerador: 200 V a 30 kV
  • Detectores de electrones secundarios, retrodispersados y STEM (modo de transmisión)
Microscopio Electrónico de Barrido Marca JEOL 6010 Plus
  • Resolución: hasta 4.0nm (a 20kV)
  • Resolución en modo bajo vacío: hasta 5.0 nm
  • Magnificación desde: 8X a 300,000X
  • Voltajes de aceleración: 500V a 20kV
  • Modo de imagen de electrones secundarios y retrodispersados
  • Detector de EDS (espectroscopia de energía dispersiva de rayos X)
  • Análisis a piezas de tamaños hasta 150 mm de diámetro