Microscopía Electrónica de Barrido

Para un entendimiento de las propiedades de los diferentes materiales, se debe tener un claro entendimiento de qué es lo que sucede a escala micrométrica y nanométrica en éstos.

Actualmente, el Laboratorio de Microscopia Electrónica de Barrido cuenta con personal altamente calificado para llevar estudios microestructurales de los diferentes materiales que se desarrollan en el CIMAV.

Ya que el Microscopio se encuentra internamente equipado con diferentes detectores que colectan la energía y la transforman en señales y datos, es posible determinar la morfología, topografía, fases y la composición química mediante la semicuantificación elemental de los diversos materiales; ya sean aleaciones metálicas y no metálicas, cementos, cerámicos, vidrios, catalizadores, recubrimientos, etc.

Entonces, la actividad del Laboratorio se centra principalmente en la caracterización de materiales orgánicos e inorgánicos de las distintas ramas de investigación que se llevan a cabo en el centro. Adicionalmente, da servicio a la industria mediante la caracterización sus materiales para la solución de problemas en sus procesos, determinación de contaminaciones o tipos de falla en los materiales, así como de mediciones; esto mediante servicios y/o proyectos que se realizan con las mismas. Lo anterior conlleva a la responsabilidad de la emisión de resultados altamente confiables, respaldados por un Sistema de Gestión de la Calidad fuertemente implementado en el centro.

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Responsable de laboratorio:
M. C. Karla Campos
Tel. +52 (614) 439 1136
karla.campos@cimav.edu.mx

Contáctanos:
Lic. Salomón Maloof
Tel. +52 (614) 439 1191
salomon.maloof@cimav.edu.mx
Política de recepción de muestras

Servicios
Análisis de morfología por Electrones Secundarios
Análisis elemental por EDS (Espectroscopia por Dispersión de Energía)
Análisis de fases por Electrones Retrodispersados
Mapeo elemental por EDS
Mapeo en línea por EDS

Infraestructura
Microscopio Electrónico de Barrido, JSM 5800-LV
Filamento de Tungsteno,
Máxima Resolución: 3.5 nm,
Voltaje Acelerador: 30 kV,
Amplificación: 45x a 300000x,
Detectores de electrones secundarios y retrodispersados
Sistema EDS